하프 브리지 토폴로지로 설계된 트렌치 칩 기술 기반의 검증된 62mm 모듈은 250kW부터 시작되는 중간 전력대 애플리케이션에 SiC를 사용할 수 있는 길을 열었다. 실리콘 IGBT 기술은 전력 밀도 한계에 도달하고 있다. 62mm IGBT 모듈과 달리 CoolSiC 62mm 모듈은 태양광, 서버, 에너지 저장, EV 충전기, 트랙션, 상업용 인덕션 쿠킹, 전력 변환 시스템 등의 애플리케이션에 사용될 수 있다.
62mm 모듈은 인피니언의 CoolSiC MOSFET을 채택하여 높은 전류 밀도를 달성한다. 스위칭 손실과 전도 손실이 매우 낮아 방열을 최소화하고 디바이스를 더 높은 스위칭 주파수에서 작동하면 더 작은 수동소자 부품을 사용할 수 있다. 따라서 더 작은 크기의 인버터 디자인을 설계할 수 있고 전반적인 시스템 크기와 비용을 줄일 수 있다.
베이스 플레이트와 스크류 연결로 하우징이 기계적으로 매우 견고하여 최고의 시스템 가용성 즉 최소의 수리 비용 및 가동 중단을 가능하게 한다. 열 사이클링 성능이 우수하고 150°C 연속 동작 온도로 뛰어난 신뢰성을 달성한다. 하우징 내부의 대칭 설계로 상측 스위치와 하측 스위치에 동일한 스위칭 조건이 가능하다. thermal interface material을 적용한 모듈을 사용하면 열 성능을 더욱 향상시킬 수 있다.
62mm 패키지 CoolSiC MOSFET 1200V 제품은 6mΩ/250A, 3mΩ/357A, 2mΩ/500A 구성으로 제공된다. 추가 정보는 인피니언 홈페이지에서 볼 수 있다.
